Эта публикация цитируется в 17 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Исследование диффузионных длин неосновных носителей заряда в фотоактивных слоях многопереходных солнечных элементов

С. А. Минтаиров, В. М. Андреев, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, Н. К. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Лантратов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлена методика определения диффузионных длин неосновных носителей заряда в фотоактивных слоях A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ солнечных элементов посредством аппроксимации их спектральных характеристик. Исследованы однопереходные GaAs, Ge и многопереходные GaAs/Ge, GaInP/GaAs и GaInP/GaInAs/Ge солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии. Установлены зависимости диффузионных длин неосновных носителей заряда от уровня легирования для $p$-Ge и $n$-GaAs. Показано, что параметры твердотельной диффузии атомов фосфора в подложку $p$-Ge из нуклеационного $n$-GaInP слоя не зависят от его толщины в пределах 35–300 нм. Обнаружено уменьшение диффузионных длин в слоях Ga(In)As субэлементов многопереходных структур по сравнению с однопереходными.

Поступила в редакцию: 30.12.2009
Принята в печать: 13.01.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 1084–1089

Реферативные базы данных:

•