Эта публикация цитируется в 7 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения на основе ZnS и CdS с низкоомными поверхностными слоями

Ю. Н. Бобренко, С. Ю. Павелец, А. М. Павелец, М. П. Киселюк, Н. В. Ярошенко

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Формирование в области пространственного заряда поверхностно-барьерных фотопреобразователей Cu$_{1.8}$S–CdS и Cu$_{1.8}$S–ZnS тонких высокоомного и низкоомного слоев приводит к существенному увеличению фоточувствительности и снижению темновых туннельно-рекомбинационных токов. Получены высокоэффективные и стабильные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения на основе CdS и ZnS. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства и приведены основные эксплуатационные параметры фотопреобразователей ультрафиолетового излучения.

Поступила в редакцию: 15.12.2009
Принята в печать: 21.12.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 1080–1083

Реферативные базы данных:

•