Эта публикация цитируется в 4 статьях

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Исследование механизмов фото- и электролюминесценции в квантово-размерных гетероструктурах InSb/InAs

Я. В. Терентьев, М. С. Мухин, В. А. Соловьев, А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, А. А. Усикова, С. В. Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведено систематическое исследование фото- и электролюминесценции в гетероструктурах InSb/InAs со сверхтонкими вставками InSb, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Измерения выполнены в диапазоне температур от 2 до 300 K на большой выборке образцов различной конструкции и с различными способами выращивания как матрицы InAs, так и ультратонких вставок InSb. Главная цель работы заключалась в идентификации основных каналов излучательной рекомбинации в этих гетероструктурах. Показано, что оптические переходы, связанные с акцепторными примесными центрами в матрице InAs, являются важным механизмом, снижающим эффективность люминесценции вставок InSb при комнатной температуре. Полученные результаты имеют важное значение для выработки оптимальных режимов роста и дизайна активной области светоизлучающих приборов на основе квантово-размерных гетероструктур InSb/InAs, излучающих в диапазоне 3–5 мкм.

Поступила в редакцию: 02.02.2010
Принята в печать: 12.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 1064–1069

Реферативные базы данных:

•