Эта публикация цитируется в 4 статьях

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции

В. Г. Талалаев^ab, А. В. Сеничев^a, Б. В. Новиков^a, J. W. Tomm^c, T. Elsaesser^c, Н. Д. Захаров^d, P. Werner^d, U. Gösele^d, Ю. Б. Самсоненко^efg, Г. Э. Цырлин<sup>efg

a</sup> Институт физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Петродворец, Россия
^b Martin–Luther–Universität, ZIK "SiLi-nano", 06120 Halle, Deutschland
^c Max–Born–Institut für Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, 12489 Berlin, Deutschland
^d Max–Planck–Institut für Mikrostrukturphysik, 06120 Halle (Saale), Deutschland
^e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^f Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^g Санкт-Петербургский Физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, 195220 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методами оптической спектроскопии и электронной микроскопии исследованы туннельно-нижекционные наноструктуры, активная область которых состояла из верхнего слоя квантовой ямы In$_{0.15}$Ga$_{0.85}$As в качестве инжектора носителей и нижнего слоя квантовых точек In$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As в качестве эмиттера света, разделенных слоем барьера GaAs. В зависимости времени туннелирования от толщины барьера обнаружены отклонения от полуклассической модели Вентцеля–Крамерса–Бриллюэна. Сокращение времени переноса до единиц пикосекунд при толщине барьера менее 6 нм объясняется формированием между вершинами квантовых точек и слоем квантовой ямы наномостиков InGaAs, в том числе с собственным дырочным состоянием. Учтено влияние наведенного туннелированием электрического поля на время переноса носителей в туннельно-инжекционной наноструктуре.

Поступила в редакцию: 28.12.2009
Принята в печать: 11.01.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 1050–1058

Реферативные базы данных:

•