Эта публикация цитируется в 25 статьях

Низкоразмерные системы

Исследование нанокристаллов кремния в слоях субоксида кремния методом комбинационного рассеяния света

Н. Е. Маслова^a, А. А. Антоновский^a, Д. М. Жигунов^a, В. Ю. Тимошенко^a, В. Н. Глебов^b, В. Н. Семиногов<sup>b

a</sup> Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
^b Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук, 142190 Троицк, Россия

Аннотация: Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы слои субоксида кремния SiO$_x$ ($x\approx$ 1), подвергнутые термическому отжигу при температурах от 950 до 1200$^\circ$C для формирования в них нанокристаллов кремния. Сравнением полученных экспериментальных данных с моделью пространственного ограничения фононов найдены объемные доли кристаллической и аморфной фаз кремния в исследуемых слоях. Установлено, что средний размер нанокристаллов кремния увеличивается с 4 до 6.5 нм с ростом температуры отжига, что объясняется укрупнением нанокристаллов за счет кристаллизации аморфной фазы кремния, а также процессами слияния соседних нанокристаллов, происходящими при максимальных температурах отжига.

Поступила в редакцию: 16.12.2009
Принята в печать: 21.12.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 1040–1043

Реферативные базы данных:

•