Эта публикация цитируется в 24 статьях

Низкоразмерные системы

Влияние спейсерных слоев на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода

М. А. Ремнев, И. Ю. Катеев, В. Ф. Елесин

Московский инженерно-физический институт (государственный университет), 115409 Москва, Россия

Аннотация: При помощи численного решения уравнения Шрёдингера получены вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода со спейсерными слоями (спейсерами). Построены зависимости пикового тока резонансно-туннельного диода от ширины спейсера эмиттера. Показано, что пиковый ток зависит периодическим образом от ширины спейсера эмиттера. Построенные диаграммы плотности электронов показали, что увеличение пикового тока связано с резонансным уровнем в области спейсера эмиттера.

Поступила в редакцию: 23.06.2009
Принята в печать: 01.12.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 1034–1039

Реферативные базы данных:

•