Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Барьеры на $p$-кремнии типа металл–диэлектрик–полупроводник с нанотолщинным диэлектриком из нитрида алюминия

А. М. Иванов^a, И. М. Котина^b, М. С. Ласаков^b, Н. Б. Строкан^a, Л. М. Тухконен<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"

Аннотация: Анализируется состояние поверхности границы раздела $p$-кремний-(нанотолщинный диэлектрик). Исследуются спектры DLTS в режимах перезарядки глубоких центров в объеме структуры, а также ее поверхностных состояний. Определен характер шумов в функции величины обратного напряжения в плане применения структуры в качестве детектора ядерных излучений. Сделано заключение, что используемый в структуре барьер обладает более высоким качеством при нанесении нанотолщинных пленок нитрида алюминия путем магнетронного распыления на постоянном, а не переменном токе.

Поступила в редакцию: 02.02.2010
Принята в печать: 10.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 1030–1033

Реферативные базы данных:

•