Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Создание и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/$p$-Ag$_3$AsS$_3$

В. Ю. Рудь^a, Ю. В. Рудь^b, Е. И. Теруков<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Однородные объемные монокристаллы $p$-Ag$_3$AsS$_3$ с ромбической структурой выращены направленной кристаллизацией из расплава, состав которого соответствует атомному составу данного тройного соединения. Впервые созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры, основанные на получении контакта между поверхностью этих кристаллов и тонкими пленками чистого индия. Фоточувствительность полученных структур изучена в естественном и линейно поляризованном излучении. Спектры фоточувствительности структур In/$p$-Ag$_3$AsS$_3$ впервые получены и использованы для определения природы и энергии межзонных переходов в кристаллах $p$-Ag$_3$AsS$_3$. На поверхностно-барьерных структурах, полученных на ориентированных монокристаллах $p$-Ag$_3$AsS$_3$, исследовано явление естественного фотоплеохроизма. Сделан вывод о том, что монокристаллы Ag$_3$AsS$_3$ могут использоваться в фотопреобразователях естественного и линейно поляризованного излучения.

Поступила в редакцию: 21.01.2010
Принята в печать: 02.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 1025–1029

Реферативные базы данных:

•