RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 8, страницы 1053–1058 (Mi phts8889)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Вольт-фарадные характеристики системы электролит–$n$-InN и электронные состояния на границе раздела

М. Э. Рудинский, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Измерены зависимости дифференциальной емкости системы вырожденный $n$-InN-электролит от напряжения смещения при частоте зондирующего напряжения 300 Гц. Количественный анализ этих характеристик проведен на основе одномерной модели структуры металл-диэлектрик-полупроводник в области напряжений смещения вблизи напряжения плоских зон и обеднения. Показано, что на величину емкости в этой области напряжений влияют электронные состояния на границе раздела. Оценены плотность и распределение по энергии этих состояний. Вид зависимости емкости от напряжения в области аккумуляции также свидетельствует о существовании состояний на границе раздела, энергия которых на несколько десятых эВ превышает энергию дна зоны проводимости. Плотность этих состояний растет с увеличением энергии.

Поступила в редакцию: 30.12.2009
Принята в печать: 13.01.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 1020–1024

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026