Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Оптические свойства тонких пленок GaSe/$n$-Si(111)

М. П. Киселюк^a, А. И. Власенко^a, П. А. Генцарь^a, Н. В. Вуйчик^a, Н. С. Заяц^a, И. В. Кругленко^a, О. С. Литвин^a, Ц. А. Криськов<sup>b

a</sup> Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Каменец-Подольский национальный университет, 32300 Каменец-Подольский, Украина

Аннотация: Проведены морфологические и оптические (эллипсометрия, спектры отражения в диапазоне 400–750 нм и спектры отражения в диапазоне 1.4–25 мкм) исследования тонких пленок GaSe толщиной 15–60 нм, полученных методом термического напыления на подложках из монокристаллического кремния $n$-Si(111). Установлено, что на начальном этапе роста имеет место островковый (трехмерный) рост GaSe на подложках $n$-Si(111). Показано изменение физических параметров пленок по мере увеличения толщины и приближение с точки зрения кристаллической и энергетической зонной структуры тонких пленок к монокристаллам. Для пленок толщиной 60 нм максимум полосы отражения объяснен непрямыми оптическими переходами, усиленными экситонным взаимодействием. В результатах оптических исследований предполагается проявление квантовых эффектов в приповерхностной области тонких пленок.

Поступила в редакцию: 30.07.2009
Принята в печать: 17.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 1012–1015

Реферативные базы данных:

•