Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Рассеяние электронов на акцепторных центрах в $p$-Ag$_2$Te при низких температурах

Ф. Ф. Алиев^a, М. Б. Джафаров^a, Г. З. Аскерова^a, Э. М. Годжаев<sup>b

a</sup> Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан
^b Азербайджанский технический университет, Az-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Наблюдалось резонансное рассеяние электронов в $p$-Ag$_2$Te при концентрациях акцепторов $N_{\mathrm{a}}$ $\le$ 4.2 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$ в интервале температур $\sim$50–80 K. Проведен расчет вклада резонансного рассеяния в температурные зависимости электропроводности $\sigma(T)$ и термоэдс $\alpha_0(T)$. Показано, что вклад резонансного рассеяния электронов в зависимостях $\sigma(T)$ и $\alpha_0(T)$ больше, чем рассеяние носителей заряда на акустических фононах.

Поступила в редакцию: 02.02.2010
Принята в печать: 12.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 44:8, 1008–1011

Реферативные базы данных:

•