Эта публикация цитируется в 8 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Особенности механизма переноса заряда в структурах на основе тонких слоев триселенида мышьяка, модифицированных висмутом

Н. И. Анисимова, В. А. Бордовский, Г. И. Грабко, Р. А. Кастро

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведено исследование влияния количества вводимой примеси висмута на процессы переноса и накопления заряда в аморфных слоях As$_2$Se$_3$. Обнаружена связь между релаксационными процессами переноса и изменением внутренней структуры исследуемых материалов. В изученных слоях определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы: контактная емкость, плотность локализованных состояний, ответственных за аккумуляцию зарядов в контактной области, постоянная зарядки контактной области, подвижность носителей зарядов. Обсуждаются механизмы наблюдаемых эффектов.

Поступила в редакцию: 30.11.2009
Принята в печать: 22.01.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 1004–1007

Реферативные базы данных:

•