Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках

Е. А. Татохин^a, А. В. Каданцев^a, А. Е. Бормонтов^b, В. Г. Задорожний<sup>b

a</sup> Воронежская государственная технологическая академия
^b Воронежский государственный университет

Аннотация: Метод релаксационной спектроскопии является одним из основных методов, широко используемых для определения параметров дефектов, приводящих к возникновению глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводникового материала. С целью повышения точности определения концентрации и параметров глубоких уровней, определяющих характер изотермической релаксации емкости, предложен статистический метод обработки результатов измерений изотермической релаксации емкости, основанный на алгоритме статистического поиска решения.

Поступила в редакцию: 09.12.2009
Принята в печать: 18.01.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 997–1003

Реферативные базы данных:

•