Электронные и оптические свойства полупроводников

Исследование основных зонных параметров HgMnZnTe

С. Э. Остапов, В. М. Фрасуняк, В. В. Жихаревич

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича

Аннотация: Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования основных зонных параметров многокомпонентных твердых растворов HgMnZnTe. Предлагаются эмпирические формулы для вычисления ширины запрещенной зоны и концентрации собственных носителей в параболическом приближении в широком диапазоне температур и составов. Результаты теоретического исследования хорошо согласуются с экспериментальными и литературными данными.

Поступила в редакцию: 30.11.2009
Принята в печать: 22.12.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 993–996

Реферативные базы данных:

•