Эта публикация цитируется в 11 статьях

Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников

Взаимодействие примеси меди с радиационными дефектами в легированном бором кремнии

Н. А. Ярыкин^a, J. Weber<sup>b

a</sup> Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
^b Technische Universität Dresden, 01062 Dresden, Germany

Аннотация: Изучается спектр глубоких уровней, формирующихся в легированных бором монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского, в результате взаимодействия радиационных дефектов и примеси меди. Показано, что, независимо от порядка введения дефектов (как при низкотемпературной диффузии меди в предварительно облученные электронами кристаллы, так и при облучении загрязненных медью образцов), возникает один и тот же набор глубоких уровней. В дополнение к обычным радиационным дефектам в медьсодержащих кристаллах выявлены три уровня. Это уже упоминавшийся в литературе центр $E_v$ + 0.49 эВ, а также ранее не связываемые с медью уровень $E_v$ + 0.51 эВ и уровень, близкий к донорному уровню дивакансии. На основе анализа концентрационных профилей межузельная пара углерод-кислород исключена из возможных прекурсоров медьсодержащего центра $E_v$ + 0.49 эВ.

Поступила в редакцию: 02.02.2010
Принята в печать: 12.02.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 983–986

Реферативные базы данных:

•