RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 8, страницы 1012–1016 (Mi phts8880)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников

Двухэлектронные центры олова, образующиеся в стеклообразных халькогенидах мышьяка в результате ядерных превращений

Г. А. Бордовскийa, П. В. Гладкихa, М. Ю. Кожокарьa, А. В. Марченкоa, П. П. Серегинa, Е. И. Теруковb

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Примесные атомы $^{119m}$Sn, образующиеся после радиоактивного превращения материнских атомов $^{119mm}$Sn в структуре стекол As$_2$S$_3$, As$_2$Se$_3$ и As$_2$Te$_3$, входят в состав стекла в виде структурных единиц, отвечающих четырехвалентному олову. Примесные атомы $^{119m}$Sn, образующиеся после радиоактивного распада атомов $^{119}$Sb в структуре стекол As$_2$S$_3$ и As$_2$Se$_3$, локализуются в узлах мышьяка и играют роль двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией. Для стекла As$_2$Te$_3$ аналогичным образом образующиеся атомы $^{119m}$Sn электрически неактивны. Бо́льшая часть дочерних атомов $^{119m}$Sn, образующихся после радиоактивного распада материнских атомов $^{119m}$Te в стеклах As$_2$S$_3$, As$_2$Se$_3$ и As$_2$Te$_3$, находится в узлах халькогенидов, и они электрически неактивны. Значительная энергия отдачи дочерних атомов в случае распада $^{119m}$Te приводит к появлению смещенных атомов $^{119m}$Sn.

Поступила в редакцию: 20.01.2010
Принята в печать: 27.01.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 978–982

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026