Эта публикация цитируется в 5 статьях

Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников

Исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора GaAs : Fe методом сканирующей зондовой микроскопии

С. С. Хлудков^a, И. А. Прудаев^a, В. А. Новиков^b, О. П. Толбанов^a, И. В. Ивонин<sup>b

a</sup> Сибирский физико-технический институт им. акад. В. Д. Кузнецова при Томском государственном университете
^b Томский государственный университет

Аннотация: С помощью атомно-силового микроскопа проведено исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора арсенида галлия, легированного железом (GaAs : Fe). Образцы GaAs : Fe получали в процессе высокотемпературной диффузии Fe в GaAs и последующего отжига при температуре на 200$^\circ$C ниже температуры легирования. Измерения проведены на поперечных сколах по плоскости спайности пластин GaAs : Fe. Показано, что в процессе отжига GaAs : Fe происходит распад пересыщенного твердого раствора с образованием частиц второй фазы размером от $\sim$50 нм до $\sim$1 мкм. Частицы второй фазы обладают ферромагнитными свойствами при комнатной температуре.

Поступила в редакцию: 30.12.2009
Принята в печать: 18.01.2010

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:8, 975–977

Реферативные базы данных:

•