Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

К вопросу однородности свойств CVD-пленок 4H-SiC

А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, Н. А. Щербов, А. А. Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Для выявления неоднородности электрофизических свойств CVD-пленок 4H-SiC использованы физико-химические реакции, возникающие при введении радиационных дефектов структуры. Первично выбитые из узлов решетки атомы и вакансии активно взаимодействуют с примесями и дефектами исходного материала, формируя конечную систему радиационных центров. Облучение велось электронами с энергией 900 кэВ, протонами с энергией 8 МэВ в области доз, не приводящих к компенсации проводимости (менее 7.5 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$), а также дозой 6 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$, вызывающей глубокую компенсацию.
Использование емкостных методов, несмотря на усреднение характеристик по площади, выявило неидентичность характеристик образцов размерами $\sim$3 мм. С применением техники ядерной спектрометрии, позволяющей осуществить микрозондирование образца, обнаружено индивидуальное поведение отдельных участков пленки масштабом до десятков мкм$^2$.

Поступила в редакцию: 24.12.2009
Принята в печать: 11.01.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 969–973

Реферативные базы данных:

•