Эта публикация цитируется в 13 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Выращивание молекулярно-пучковой эпитаксией и характеризация квантовых каскадных лазеров на длину волны 5 мкм

В. В. Мамутин^a, В. М. Устинов^a, J. Boetthcher^b, Н. Kuenzel<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Fraunhofer Institut Nachrichtentechnik, Heinrich Hertz Institut, 10587 Berlin, Deutschland

Аннотация: Продемонстрированы квантовые каскадные лазеры, полученные молекулярно-пучковой эпитаксией, излучающие на длине волны 5.0 мкм при 77 K и 5.2 мкм при 300 K, основанные на четырехъямной схеме активной области с вертикальными переходами и с напряженно-компенсированными сверхрешетками с высокой эффективностью инжекции и коротким временем жизни основного состояния. Типичные пороги генерации при 300 K были в пределах 4–10 кА/см$^2$. Максимальная мощность излучения достигала $\sim$1 Вт, максимальная температура генерации $\sim$450 K, максимальная характеристическая температура составляла $T_0\approx$ 200 K. Использование модифицированного процесса постростовой обработки позволяло воспроизводимо получать высококачественные приборы.

Поступила в редакцию: 22.12.2009
Принята в печать: 28.12.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 962–968

Реферативные базы данных:

•