Эта публикация цитируется в 2 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Технология получения одномерных фотонных кристаллов с помощью фотоэлектрохимического травления кремния

Ю. А. Жарова^a, Г. В. Федулова^a, Е. В. Гущина^a, А. В. Анкудинов^a, Е. В. Астрова^a, В. А. Ермаков^bc, Т. С. Перова<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Dublin, Trinity College, Dublin 2, Ireland
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Анализируются условия формирования глубоких периодических щелей в процессе фотоэлектрохимического травления $n$-Si ориентации (100) с линейными затравками на поверхности. Сформулированы критерии для выбора периода затравочных канавок и для плотности тока травления в зависимости от уровня легирования подложки. Характерной особенностью полученных структур является гофрировка их стенок, обусловленная следами слившихся макропор. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована неровность стенок в зависимости от режима травления и найдена плотность тока, при которой можно получить наиболее гладкие стенки. Их шероховатость в структурах с периодом 7 и 9 мкм на Si с удельным сопротивлением 15 Ом $\cdot$ см составила $\sim$40 нм. Показано, что дополнительная обработка структур в щелочных растворах может уменьшить шероховатость стенок примерно в 2 раза.

Поступила в редакцию: 14.12.2009
Принята в печать: 21.12.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 954–961

Реферативные базы данных:

•