Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей

С. О. Усов^ab, Е. Е. Заварин^ab, А. Ф. Цацульников^ab, В. В. Лундин^ab, А. В. Сахаров^ab, А. Е. Николаев^ab, М. А. Синицын^ac, Н. В. Крыжановская^a, С. И. Трошков^a, Н. Н. Леденцов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН

Аннотация: Проведено исследование структурных и оптических свойств InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на сапфировых подложках. Исследовано влияние режимов роста и толщин слоев InAlN на структурные свойства распределенных брегговских отражателей. Показано, что оптимизация режимов эпитаксиального роста позволяет создавать InAlN/GaN распределенные брегговские отражатели с коэффициентом отражения более 99% и максимумом отражения в диапазоне длин волн 460–610 нм.

Поступила в редакцию: 14.11.2009
Принята в печать: 27.11.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 949–953

Реферативные базы данных:

•