RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 7, страницы 978–980 (Mi phts8874)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние метода синтеза на свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях

А. П. Беляев, В. П. Рубец, В. В. Антипов, Е. О. Еремина

Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)

Аннотация: Сообщается о результатах сравнительных исследований электрических и гальваномагнитных свойств пленок теллурида кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях методом теплового экрана и методом квазизамкнутого объема. Приводятся температурные зависимости проводимости, коэффициента Холла и эффективной холловской подвижности. В результате анализа экспериментальных результатов делается вывод, что метод теплового экрана положительно влияет на стехиометрию состава и тем способствует получению пленок с меньшей концентрацией дефектов.

Поступила в редакцию: 26.10.2009
Принята в печать: 02.11.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 946–948

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026