Эта публикация цитируется в 9 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Выращивание пленок (InSb)$_{1-x}$(Sn$_2$)$_x$ на арсенид-галлиевых подложках методом жидкофазной эпитаксии

А. С. Саидов^a, М. С. Саидов^a, Ш. Н. Усмонов^a, У. П. Асатова<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, 100084 Ташкент, Узбекистан
^b Ургенчский государственный университет, 220100 Ургенч, Узбекистан

Аннотация: Показана возможность выращивания монокристаллического твердого раствора замещения (InSb)$_{1-x}$(Sn$_2$)$_x$ (0 $\le x\le$ 0.05) на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии из индиевого раствора-расплава. Исследованы рентгенограммы, спектральные и вольт-амперные характеристики полученных гетероструктур $n$-GaAs-$p$-(InSb)$_{1-x}$(Sn$_2$)$_x$ при различных температурах. Определены параметры решетки твердого раствора (InSb)$_{1-x}$(Sn$_2$)$_x$. Обнаружено, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики таких структур при малых напряжениях (до 0.7 В) описывается экспоненциальной зависимостью $I=I_0\exp(qV/ckT)$, а при больших ($V>$ 0.9 В) имеется участок сублинейного роста тока с напряжением $V\approx V_0\exp(Jad)$. Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что произведение подвижности основных носителей на концентрацию глубоких примесей уменьшается с ростом температуры.

Поступила в редакцию: 28.07.2009
Принята в печать: 30.11.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 938–945

Реферативные базы данных:

•