Эта публикация цитируется в 8 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Сверхмощная пикосекундная коммутация тока кремниевым обострителем с механизмом последовательного переключения структур

С. К. Любутин, С. Н. Рукин, Б. Г. Словиковский, С. Н. Цыранов

Институт электрофизики УрО РАН, 620016 Екатеринбург, Россия

Аннотация: Экспериментально реализован и теоретически исследован процесс сверхбыстрой коммутации тока кремниевым обострителем с механизмом последовательного переключения структур. На прибор, расположенный в 50-омной передающей линии и содержащий 44 последовательно соединенные диодные структуры, подавался импульс напряжения амплитудой до 180 кВ и временем нарастания 400 пс. После переключения прибора в передающей линии получены импульсы амплитудой 150 кВ с временем нарастания 100 пс. Численное моделирование показало, что при скорости нарастания входного напряжения на одну структуру более 4 $\cdot$ 10$^{13}$ В/с, реализованной в эксперименте, электрическое поле у $p$–$n$-перехода достигает порога зинеровского пробоя ($\sim$10$^6$ В/см) даже в том случае, когда структура диода содержит технологические примеси с глубокими уровнями ионизации с концентрацией 10$^{11}$ см$^{-3}$.

Поступила в редакцию: 26.11.2009
Принята в печать: 12.12.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 931–937

Реферативные базы данных:

•