В. С. Сизов, А. Ф. Цацульников, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, Н. А. Черкашин, M. J. Hÿtch, А. Е. Николаев, А. М. Минтаиров, Yan He, J. L. Merz, “Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 7,страницы 955

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона

В. С. Сизов^ab, А. Ф. Цацульников^ab, А. В. Сахаров^ab, В. В. Лундин^ab, Е. Е. Заварин^ab, Н. А. Черкашин^ac, M. J. Hÿtch^c, А. Е. Николаев^ab, А. М. Минтаиров^d, Yan He^d, J. L. Merz^d

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^c Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), 31055 Toulouse, France
^d EE Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, 46556 (USA)

Аннотация: Исследованы оптические и светодиодные диодные структуры с активной областью InGaN, содержащие короткопериодные сверхрешетки InGaN/GaN. Показано, что короткопериодные сверхрешетки представляют собой тонкие двумерные слои с относительно малым содержанием индия, содержащие в себе включения толщиной 1–3 нм с высоким содержанием индия. Включения проявляют себя с точки зрения оптических свойств как неоднородный массив квантовых точек, заключенный в остаточную квантовую яму. Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах позволяет уменьшить концентрацию безызлучательных центров, а также повысить инжекцию носителей в активной области за счет увеличения эффективной высоты барьера AlGaN, что в целом приводит к повышению квантовой эффективности светодиодов.

Поступила в редакцию: 24.11.2009
Принята в печать: 30.11.2009