Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием

А. Ю. Егоров, А. Г. Гладышев, Е. В. Никитина, Д. В. Денисов, Н. К. Поляков, Е. В. Пирогов, А. А. Горбацевич

Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, 195220 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием ($\delta$-легированием) реализованы методом молекулярно-пучковой эпитаксии на многоподложечной промышленной установке. Подвижность электронов при комнатной температуре, определенная методом Холла, составляет 6550 и 6000 см$^2$/B $\cdot$ с при концентрации электронов в канале 3.00 $\cdot$ 10$^{12}$ и 3.36 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$ соответственно. Гетероструктуры HEMT-транзисторов, изготавливаемые в одном процессе, имеют высокую однородность структурных и электрофизических характеристик по всей площади пластин диаметром 76.2 мм и высокую воспроизводимость характеристик от процесса к процессу.

Поступила в редакцию: 23.11.2009
Принята в печать: 27.11.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 919–923

Реферативные базы данных:

•