Эта публикация цитируется в 16 статьях

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Варисторный эффект в композитах полимер–проводник

М. К. Керимов^a, М. А. Курбанов^a, И. С. Султанахмедова^a, И. А. Фараджзаде^a, Ф. Н. Татардар^a, Х. С. Алиев^b, Ф. Ф. Яхъяев^a, У. В. Юсифова<sup>a

a</sup> Институт физики НАН Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан
^b Азербайджанский технический университет, г. Баку

Аннотация: Определен механизм формирования варисторного эффекта в композитах на основе полярных (поливинилиденфторид), неполярных (полиэтилен, полипропилен) полимеров и полупроводников: кремния и германия. Показано, что варисторный эффект в композитах полимер–полупроводник обусловлен туннельным переносом носителей заряда через барьер на границе раздела фаз, параметры которого зависят от напряжения, температуры, объемного содержания и дисперсности частиц полупроводника и диэлектрической проницаемости компонентов композита.

Поступила в редакцию: 03.09.2009
Принята в печать: 30.11.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 904–911

Реферативные базы данных:

•