Эта публикация цитируется в 9 статьях

Низкоразмерные системы

Исследование дефектов в гетероструктурах с квантовыми ямами GaPAsN и GaPN в матрице GaP

О. И. Румянцев^ab, П. Н. Брунков^ab, Е. В. Пирогов^ab, А. Ю. Егоров<sup>ab

a</sup> Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методами вольт-емкостного профилирования, емкостной и токовой нестационарной спектроскопии глубоких уровней проведены исследования гетероструктур с квантовыми ямами GaP/GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP/GaP$_{1-x-y}$As$_x$N$_y$, выращенных методом металлорганической газофазной эпитаксии. В гетероструктурах с квантовыми ямами GaP/GaP$_{1-x}$N$_x$ обнаружены собственные дефекты с глубокими уровнями 0.17 и 0.08 эВ. Показано, что значительное уменьшение концентрации этих дефектов происходит при замене тройного твердого раствора GaP$_{1-x}$N$_x$, формирующего область квантовой ямы, на четверной раствор GaP$_{1-x-y}$As$_x$N$_y$. Обсуждается природа возникающих дефектов и механизмы уменьшения их концентрации.

Поступила в редакцию: 30.11.2009
Принята в печать: 14.12.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 893–897

Реферативные базы данных:

•