Эта публикация цитируется в 15 статьях

Низкоразмерные системы

Эволюция экситонных состояний в двухфазных системах с квантовыми точками полупроводников II–VI вблизи перколяционного порога

Н. В. Бондарь, М. С. Бродин

Институт физики НАН Украины, г. Киев

Аннотация: В результате проведенных исследований двухфазных систем (боросиликатные матрицы с квантовыми точками ZnSe или CdS) обнаружена особенность, связанная с образованием в них фазового перколяционного перехода носителей (экситонов). Это проявилось в качественных изменениях оптических спектров обеих систем, а также в флуктуациях интенсивности полос излучения вблизи порога, обусловленных микроскопическими флуктуациями плотности квантовых точек. Вычислено среднее расстояние между квантовыми точками с учетом их конечных размеров и доли объема, который они занимают на перколяционном пороге, и показано, что образование кластеров квантовых точек происходит посредством туннелирования носителей между ними. Предложен механизм образования перколяционного порога носителей, в котором диэлектрическое рассогласование материалов матрицы и квантовых точек играет существенную роль в процессе делокализации носителей (экситонов), приводя к появлению “диэлектрической ловушки” на внешней поверхности раздела и образованию там поверхностных экситонных состояний. Получены критические концентрации квантовых точек, при которых пространственное перекрытие таких состояний приводит к появлению перколяционного перехода в обеих системах.

Поступила в редакцию: 05.02.2009
Принята в печать: 26.10.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 884–892

Реферативные базы данных:

•