RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 7, страницы 905–909 (Mi phts8863)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Особенности механизмов проводимости в гетероструктурах Si/олиго-$\beta$-нафтол/металл

Ш. М. Гасанлиa, Н. Н. Мурсакуловa, У. Ф. Самедоваa, Н. Н. Абдул-задеa, Б. А. Мамедовa, Р. К. Гусейновb

a Институт физики НАН Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан
b Гянджинский государственный университет, AZ-2000 Гянджа, Азербайджан

Аннотация: Проведено исследование механизмов проводимости в гетероструктурах Si–полимер–металл, где в качестве широкозонного полимера был использован олиго-$\beta$-нафтол. Полученные результаты объясняются в рамках моделей прыжкового переноса по ловушечным уровням, эмиссии Шоттки и полевой туннельной эмиссии. При этом разные механизмы переноса заряда работают в разных температурных интервалах и при различных значениях напряженности электрического поля.

Поступила в редакцию: 15.09.2009
Принята в печать: 18.12.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 875–878

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026