Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Бистабильный низкотемпературный (77 K) примесный пробой в 4H-SiC $p$-типа

П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Измерены низкотемпературные (77 K) прямые вольт-амперные характеристики мезаэпитаксиальных диодных структур $p^+$–$p$–$n$–$n$ (подложка) на основе 4H-SiC. Измеренные вольт-амперные характеристики проявляют $S$-образный характер, который интерпретируется как бистабильный примесный пробой акцепторных атомов алюминия с вымороженными на примеси носителями заряда.

Поступила в редакцию: 24.11.2009
Принята в печать: 30.11.2009

 Англоязычная версия: DOI: 10.1134/S1063782610070079

Реферативные базы данных:

•