Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Расчет подвижности носителей заряда в алмазе при низких температурах

А. С. Батурин, В. Н. Горелкин, В. Р. Соловьев, И. В. Черноусов

Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия

Аннотация: Проведены численные оценки различий квазиупругого и неупругого приближений для расчета подвижности электронов и дырок в алмазе при низких температурах, когда неупругость рассеяния носителей на акустических фононах становится существенной. Вычисления показали, что подвижность, отвечающая почти равновесной функции распределения, даже при температуре 20 K в несколько раз отличается от значения, получаемого в квазиупругом приближении. Полученные результаты важны для интерпретации низкотемпературных электрофизических экспериментов в высокочистых монокристаллах алмаза.

Поступила в редакцию: 10.11.2009
Принята в печать: 22.12.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 867–871

Реферативные базы данных:

•