Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Зависимость спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев твердого раствора Pb$_{1-x}$Eu$_x$Te (0 $\le x\le$ 0.1) от условий выращивания

Д. А. Пашкеев^a, Ю. Г. Селиванов^a, F. Felder^b, И. И. Засавицкий<sup>a

a</sup> Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Thin Film Physics Group, Laboratory for Solid State Physics, Swiss Federal Institute of Technology (ETH), CH-8005 Zürich, Switzerland

Аннотация: Изучались спектры фотолюминесценции твердого раствора Pb$_{1-x}$Eu$_x$Te (0 $\le x\le$ 0.1) при низких температурах. Эпитаксиальные слои выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных температурах. В спектрах помимо основной линии, соответствующей межзонной излучательной рекомбинации, с низкоэнергетической стороны наблюдались дополнительные линии излучения. На поверхности образцов (менее 1% от общей площади) обнаружены неоднородности, концентрация и размер (1–10 мкм) которых уменьшаются с увеличением температуры роста. Дополнительные линии излучения связываются с локальными неоднородностями в слое. Определена зависимость ширины запрещенной зоны Pb$_{1-x}$Eu$_x$Te (0 $\le x\le$ 0.1) от состава при 77.4 K, которая является нелинейной и выражается соотношением $E_g$[эВ]=0.213+4.8$x$-18.4$x^2$.

Поступила в редакцию: 08.12.2009
Принята в печать: 14.12.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 861–866

Реферативные базы данных:

•