Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Оптические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов GaN$_x$As$_y$P$_{1-x-y}$

А. Ю. Егоров^ab, Н. В. Крыжановская^ab, Е. В. Пирогов^b, М. М. Павлов<sup>c

a</sup> Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследования оптических свойств четверных полупроводниковых твердых растворов GaN$_x$As$_y$P$_{1-x-y}$, выращенных на поверхности подложки GaP(100), проведены методами спектроскопии фотолюминесценции в температурном диапазоне 20–300 K и возбуждения люминесценции при температуре жидкого азота. В ходе выполнения работы исследовались твердые растворы GaN$_x$As$_y$P$_{1-x-y}$ с величинами мольных долей азота $x$ и мышьяка $y$ в диапазонах 0.006–0.012 и 0.00–0.18 соответственно. Проведен сравнительный анализ полученных данных и установлены зависимости энергетического положения максимума линии фотолюминесценции от элементного состава четверного твердого раствора. При исследовании фотолюминесценции в диапазоне 20–300 K наблюдалось существенное отличие температурной зависимости положения максимума фотолюминесценции от закономерности, описываемой выражением Варшни.

Поступила в редакцию: 07.12.2009
Принята в печать: 14.12.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 857–860

Реферативные базы данных:

•