Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия слоистых кристаллов высокоомного GaSe

А. П. Одринский

Институт технической акустики НАН Беларуси, 210017 Витебск, Белоруссия

Аннотация: Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы дефекты в высокоомном монокристалле $p$-GaSe. Результаты показали присутствие ловушек, соответствующих вакансии галлия и протяженным дефектам. Обнаружены также ловушки с энергией термоактивации 0.13, 0.39 и 0.53 эВ. Проводится обсуждение их природы.

Поступила в редакцию: 07.12.2009
Принята в печать: 14.12.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:7, 854–856

Реферативные базы данных:

•