Эта публикация цитируется в 6 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов

Н. В. Крыжановская^abc, В. В. Лундин^ab, А. Е. Николаев^ab, А. Ф. Цацульников^ab, А. В. Сахаров^ab, М. М. Павлов^b, Н. А. Черкашин^d, M. J. Hÿtch^d, Г. А. Вальковский^a, М. А. Яговкина^a, С. О. Усов<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН
^d Center for Material Elaboration & Structural Studies of the National Center for Scientific Research, 31055 Toulouse, France

Аннотация: Представлены результаты исследований структурных и оптических свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN, синтезированных методом МОС-гидридной эпитаксии на сапфировых подложках. Для формирования сверхрешеток использовался метод периодического прерывания роста слоя InGaN с подачей водорода в реактор. Показано, что при использовании предложенного метода происходит формирование периодической структуры InGaN/GaN с развитыми интерфейсами и областями смыкания соседних слоев InGaN, не коррелированными в вертикальном направлении. Формирование таких областей приводит к сильной зависимости формы спектров излучения сверхрешеток от числа периодов в диапазоне 400–470 нм.

Поступила в редакцию: 17.11.2009
Принята в печать: 23.11.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:6, 828–834

Реферативные базы данных:

•