Эта публикация цитируется в 5 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Получение гетероструктур на основе нанокристаллических слоев политипов карбида кремния

А. В. Семенов^a, А. В. Лопин^a, В. М. Пузиков^a, В. Н. Баумер^a, И. Н. Дмитрук<sup>b

a</sup> Институт монокристаллов НАН Украины, г. Харьков
^b Институт физики НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Показана возможность формирования гетероструктуры, состоящей из нанокристаллических слоев, – нижнего (на подложке) кубического политипа $3C$ и верхнего ромбоэдрического политипа $21R$ с использованием метода прямого ионного осаждения нанокристаллических пленок карбида кремния и градиентного нагрева подложек. Проведен детальный анализ структуры и последовательности расположения слоев карбида кремния с применением методов рентгеноструктурного анализа, фемтосекундной фотолюминесценции, оптической спектроскопии. Обсуждается природа максимумов, наблюдаемых в спектрах фотолюминесценции, оптического отражения и поглощения.

Поступила в редакцию: 10.11.2009
Принята в печать: 16.11.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:6, 816–823

Реферативные базы данных:

•