Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Магнетронное осаждение тонких пленок твердого раствора (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_x$

М. К. Гусейнов, М. К. Курбанов, Б. А. Билалов, Г. К. Сафаралиев

Дагестанский государственный технический университет, 367015 Махачкала, Россия

Аннотация: Приведены результаты теоретической оценки таких важных параметров процесса магнетронного распыления, как протяженность зоны термализации атомов и расстояние от мишени до условного анода. Методом магнетронного распыления поликристаллических мишеней SiC-AlN на подложках SiC и Al$_2$O$_3$ получены тонкие пленки твердого раствора (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_x$. Методами рентгенографии и электронной микроскопии проведены исследования структуры, состава пленок. Установлены факторы, определяющие состав и структуру пленок, а также условия формирования монокристаллических пленок (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_x$ на подложках SiC.

Поступила в редакцию: 27.04.2009
Принята в печать: 15.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:6, 812–815

Реферативные базы данных:

•