А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, С. О. Усов, А. Е. Николаев, Н. В. Крыжановская, М. А. Синицын, В. С. Сизов, А. Л. Закгейм, М. Н. Мизеров, “Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 6,страницы 837

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками

А. Ф. Цацульников^ab, В. В. Лундин^ab, А. В. Сахаров^ab, Е. Е. Заварин^ab, С. О. Усов^ab, А. Е. Николаев^ab, Н. В. Крыжановская^bc, М. А. Синицын^bc, В. С. Сизов^ab, А. Л. Закгейм^b, М. Н. Мизеров^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН

Аннотация: Описан новый подход к созданию эффективных монолитных источников белого света, основанный на использовании в активной области светодиодных структур короткопериодной InGaN/GaN-сверхрешетки в качестве барьерного слоя между квантовыми ямами InGaN, излучающими в синей и желто-зеленой областях спектра. Исследованы оптические свойства таких структур и показано, что использование такой сверхрешетки позволяет реализовать эффективное излучение из активной области.

Поступила в редакцию: 17.11.2009
Принята в печать: 23.11.2009