Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах

Д. А. Винокуров^a, М. А. Ладугин^b, А. В. Лютецкий^a, А. А. Мармалюк^b, А. Н. Петрунов^a, Н. А. Пихтин^a, С. О. Слипченко^a, З. Н. Соколова^a, А. Л. Станкевич^a, Н. В. Фетисова^a, И. С. Шашкин^a, Н. С. Аверкиев^a, И. С. Тарасов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены эпитаксиально интегрированные туннельно-связанные лазерные гетероструктуры в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs/InGaAs. На основе таких структур изготовлены мезаполосковые лазеры с апертурой 150 $\times$ 7 мкм. Показана возможность управления длиной волны генерации за счет изменения толщины активной области в каждой туннельно-связанной лазерной структуре. Получена независимая двухполосная генерация на длинах волн 914 и 925 нм (разностная частота 2.3 ТГц) при максимальной оптической мощности излучения 20 Вт в каждой полосе эпитаксиально интегрированного туннельно-связанного полупроводникового лазера.

Поступила в редакцию: 11.11.2009
Принята в печать: 16.11.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:6, 805–807

Реферативные базы данных:

•