Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Особенности световой вольт-амперной характеристики двусторонне чувствительных солнечных элементов на основе тонких базовых слоев CdTe

А. В. Мериуц, Г. С. Хрипунов, Т. Н. Шелест, Н. В. Дейнеко

Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"

Аннотация: Показано, что особенности световых вольт-амперных характеристик двусторонне чувствительных солнечных элементов glass/SnO$_2$ : F/CdS/CdTe/Cu/ITO с тонким базовым слоем связаны с возникновением фотовольтаического эффекта на тыльном контакте. Предложена эквивалентная схема исследуемой приборной структуры, которая учитывает наличие двух освещенных диодов – фронтального диода (основного сепарирующего барьера) и диода на тыльном контакте.

Поступила в редакцию: 22.10.2009
Принята в печать: 12.11.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:6, 801–804

Реферативные базы данных:

•