Н. И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов, А. С. Зубрилов, Ю. С. Леликов, Ф. Е. Латышев, Ю. Т. Ребане, А. И. Цюк, Ю. Г. Шретер, “Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 6,страницы 822

Эта публикация цитируется в 21 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока

Н. И. Бочкарева^a, В. В. Вороненков^b, Р. И. Горбунов^a, А. С. Зубрилов^a, Ю. С. Леликов^a, Ф. Е. Латышев^c, Ю. Т. Ребане^a, А. И. Цюк^b, Ю. Г. Шретер^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^c Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета

Аннотация: Исследована квантовая эффективность светодиодных структур на основе GaN при различных температурах и смещениях. Обнаружено, что уменьшение эффективности с ростом плотности тока наблюдается одновременно с возрастанием туннельной компоненты тока через светодиод и с достижением квазиуровнями Ферми порога подвижности в активном слое InGaN.
Показано, что падение внутренней квантовой эффективности с ростом плотности тока обусловлено утечкой носителей из квантовой ямы. Причиной утечки являются туннельные переходы из хвостов плотности состояний квантовой ямы на локальные энергетические уровни дефектов внутри запрещенных зон барьерных слоев.

Поступила в редакцию: 15.10.2009
Принята в печать: 20.10.2009