Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора

А. Н. Петрунов^a, А. А. Подоскин^a, И. С. Шашкин^a, С. О. Слипченко^ab, Н. А. Пихтин^ab, Т. А. Налет^ab, Н. В. Фетисова^ab, Л. С. Вавилова^ab, А. В. Лютецкий^ab, П. А. Алексеев^b, А. Н. Титков^b, И. С. Тарасов<sup>b

a</sup> ООО "Эльфолюм", г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Разработаны и созданы методом МОС-гидридной эпитаксии асимметричные гетероструктуры со сверхтолстым волноводом на основе системы твердых растворов AlGaAs/GaAs, позволяющие получать излучение на длине волны 905 нм. Внутренние оптические потери и внутренний квантовый выход полупроводниковых лазеров, изготовленных на основе таких структур, составили 0.7 см$^{-1}$ и 97% соответственно. Показано, что в импульсном режиме для лазерных диодов с просветляющими, SiO$_2$, и отражающими, Si/SiO$_2$, покрытиями, нанесенными на необработанные грани резонатора Фабри–Перо, полученные сколом в атмосфере кислорода, максимальная выходная оптическая мощность достигала 67 Вт и ограничивалась разрушением зеркал. Обработка граней резонатора Фабри–Перо путем травления в плазме аргона и формирование покрытий с пассивирующими и блокирующими кислород слоями GaN, Si$_3$N$_4$ позволили увеличить максимальную выходную оптическую мощность до 120 Вт. При достигнутом уровне выходной оптической мощности разрушение зеркал отсутствовало.

Поступила в редакцию: 14.10.2009
Принята в печать: 19.10.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:6, 789–793

Реферативные базы данных:

•