Е. В. Калинина, В. Г. Коссов, Р. Р. Яфаев, А. М. Стрельчук, Г. Н. Виолина, “Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе $p^+$–$n$-переходов в 4H-SiC, ионно-легированном алюминием”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 6,страницы 807

Эта публикация цитируется в 18 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе $p^+$–$n$-переходов в 4H-SiC, ионно-легированном алюминием

Е. В. Калинина^a, В. Г. Коссов^b, Р. Р. Яфаев^b, А. М. Стрельчук^a, Г. Н. Виолина^c

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b ОАО "Электрон Оптроник", 194223 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Сочетание высокодозовой (5 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$) имплантации ионов Al в эпитаксиальные слои 4H-SiC $n$-типа, выращенные методом химического осаждения из газовой фазы, и быстрого (15 с) термического отжига при 1700–1750$^\circ$C формирует слои с прямоугольным профилем примеси по механизму твердофазной эпитаксиальной кристаллизации. Совместное действие эффектов ускоренной диффузии радиационных дефектов при имплантации и геттерирования дефектов при отжиге приводит к улучшению качества исходного материала, что обеспечивает увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в несколько раз. В SiC при воздействии различных видов радиации образуются метастабильные состояния, отжигаемые в различных температурных интервалах. Низкотемпературный отжиг радиационных дефектов увеличивает радиационный и временной ресурс приборов при облучении. Высокотемпературный отжиг радиационных дефектов позволяет изменять время жизни неравновесных носителей заряда, т. е. частотный диапазон приборов. Радиационная стойкость SiC-приборов увеличивается с ростом рабочей температуры до 500$^\circ$C.

Поступила в редакцию: 13.10.2009
Принята в печать: 19.10.2009