Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей

В. Р. Копач, М. В. Кириченко, Г. С. Хрипунов, Р. В. Зайцев

Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"

Аннотация: Показано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления однопереходных монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии необходимо использовать тыльно-поверхностный рефлектор на основе проводящего прозрачного оксида индия-олова (ITO) толщиной 0.25–2 мкм. Для повышения кпд и снижения чувствительности к углу падения света на фотоприемную поверхность многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками на основе монокристаллического кремния необходимо создать вдоль вертикальных границ диодных ячеек рефлекторы из ITO/Al с толщиной слоя ITO более 1 мкм. Проведенные экспериментальные исследования многопереходных фотоэлектрических преобразователей с рефлекторами ITO/Al на границах диодных ячеек показали необходимость модернизации используемой технологии формирования слоев ITO для получения теоретически рассчитанной их толщины.

Поступила в редакцию: 12.10.2009
Принята в печать: 19.10.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:6, 772–777

Реферативные базы данных:

•