Эта публикация цитируется в 6 статьях

Низкоразмерные системы

Состояния Ваннье–Штарка в сверхрешетке квантовых точек InAs/GaAs

М. М. Соболев, А. П. Васильев, В. Н. Неведомский

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований эмиссии электронов и дырок из состояний 10-слойной системы туннельно-связанных вертикально-коррелированных квантовых точек InAs/GaAs, проведенные с помощью методов вольт-фарадных характеристик и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS). Толщина прослойки GaAs между слоями квантовых точек InAs, определенная с помощью просвечивающей электронной микроскопии, была $\sim$3 нм. Установлено, что изменение мультимодального периодического DLTS-спектра этой структуры находится в сильной линейной зависимости от величины приложенного к структуре напряжения обратного смещения $U_r$. Выявлено, что исследуемая структура характеризуется проявлением эффекта Ваннье–Штарка в сверхрешетке InAs/GaAs, в которой наличие внешнего электрического поля приводит к подавлению связывания волновых функций состояний электронов мини-зон и к образованию серии дискретных уровней, называемых состояниями лестницы Ваннье–Штарка.

Поступила в редакцию: 22.10.2009
Принята в печать: 02.11.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:6, 761–765

Реферативные базы данных:

•