Аннотация:
С помощью вторичной ионной масс-спектрометрии и вольт-фарадных измерений изучен механизм образования приповерхностного слоя с низкой концентрацией нескомпенсированных доноров в GaP $n$-типа проводимости, выращенном методом газофазной эпитаксии и подвергнутом термообработке при различном давлении паров фосфора. Зависимость толщины указанного слоя от давления паров фосфора имеет минимум при давлении (1.5 $\pm$ 0.5) $\cdot$ 10$^3$ Па. Показано, что при давлениях паров выше указанного подходящим кандидатом на роль компенсирующего акцептора является межузельный фосфор, образующий глубокую электронную ловушку. При низких давлениях вероятным компенсирующим центром является вакансия фосфора, создающая глубокий уровень с энергией $E_c$–(0.21 $\pm$ 0.01) эВ. При 700$^\circ$C эффективный коэффициент диффузии межузельного фосфора составляет $\sim$ (3 $\pm$ 1) $\cdot$ 10$^{-15}$ см$^2$/с, а вакансии фосфора $\sim$ (3 $\pm$ 1) $\cdot$ 10$^{-14}$ см$^2$/с.
Поступила в редакцию: 10.11.2009 Принята в печать: 16.11.2009
Полный текст:
PDF файл (283 kB)
