Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au–TiB$_x$–Al–Ti–$n^+$–$n$–$n^+$-GaN–Al$_2$O$_3$

А. Е. Беляев^a, Н. С. Болтовец^b, С. А. Витусевич^a, В. Н. Иванов^b, Р. В. Конакова^a, Я. Я. Кудрик^a, А. А. Лебедев^c, В. В. Миленин^a, Ю. Н. Свешников^d, В. Н. Шеремет<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Научно-исследовательский институт "Орион", Киев
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^d ЗАО "Элма Малахит", Москва, Зеленоград

Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления $\rho_c$ омических контактов Au–TiB$_x$–Al–Ti–$n^+$–$n$–$n^+$-GaN–Al$_2$O$_3$ до и после микроволновой обработки и последующего хранения образцов в течение 9 месяцев при комнатной температуре. Температурные зависимости $\rho_c$ исходных образцов измерялись дважды. При первом измерении $\rho_c$ обнаружена типичная для омических контактов температурная зависимость $\rho_c$, при повторном измерении в области температур $>$ 270 K обнаружен рост $\rho_c$, обсусловленный металлической проводимостью. После микроволновой обработки металлическая проводимость в омическом контакте не наблюдается, что предположительно связано с локальным разогревом металлических включений Ga при воздействии микроволнового излучения и формированием, вследствие большой химической активности жидкого галлия, его соединений с другими компонентами металлизации. Температурная зависимость $\rho_c$ в этом случае определяется обычными механизмами токопереноса. После 9 месяцев хранения при комнатной температуре температурная зависимость $\rho_c$ описывается туннельным механизмом токопереноса.

Поступила в редакцию: 03.11.2009
Принята в печать: 12.11.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:6, 745–751

Реферативные базы данных:

•