RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 6, страницы 742–748 (Mi phts8835)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Легирование полупроводников A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$ и энергетический спектр дырок с учетом резонансных состояний

Л. В. Прокофьеваa, Ю. И. Равичb, Д. А. Пшенай-Северинa, П. П. Константиновa, А. А. Шабалдинa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: В широких концентрационном и температурном диапазонах проведены исследования кинетических явлений в твердом растворе Pb$_{0.5}$Sn$_{0.5}$Te при двух видах акцепторного легирования: сверхстехиометрическим теллуром и совокупностью равных количеств атомов Na и Te, в последнем случае использовались две добавки с 1.0 и 1.5 ат% каждого компонента; достигнутые при этом плотности дырок существенно превосходили максимум значений, соответствующих образцам Pb$_{0.5}$Sn$_{0.5}$Te$\langle$Te$\rangle$. При обоих видах акцепторов концентрация дырок в твердом растворе оказывается в 2 раза выше, чем в PbTe при том же уровне легирования. Особенности поведения коэффициентов Холла, термоэдс и электропроводности интерпретируются в рамках модели однозонного спектра с широкой полосой резонансных уровней. Обсуждается механизм их образования в PbTe и Pb$_{0.5}$Sn$_{0.5}$Te.

Поступила в редакцию: 03.11.2009
Принята в печать: 12.11.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:6, 712–718

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026