Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные и оптические свойства полупроводников

Спин-пайерлсовский переход в хаотической примесной подрешетке полупроводника

А. И. Вейнгер, А. Г. Забродский, Т. В. Тиснек, С. И. Голощапов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: При исследовании электронного парамагнитного резонанса в некомпенсированном полупроводнике Ge : As вблизи фазового перехода II рода изолятор-металл обнаружено, что взаимодействие спинов, локализованных на атомах As, приводит к искажению кристаллической решетки и усиливает эффект локализации. Эффект имеет место в области электронных концентраций $n$ = 3 $\cdot$ 10$^{17}$–3.7 $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-3}$, непосредственно предшествующих критической точке фазового перехода. Он объяснен в рамках модели спинового перехода Пайерлса в хаотической примесной подрешетке полупроводника. Это позволяет понять особенности эффекта по сравнению с известными материалами, в которых наблюдается спиновый переход Пайерлса.

Поступила в редакцию: 21.10.2009
Принята в печать: 02.11.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:6, 705–711

Реферативные базы данных:

•